特許
J-GLOBAL ID：200903044251714463
半導体の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124171
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307286
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の均一なシリコン膜をレーザー光の照射によって得る。【構成】 水素を含有するアモルファスシリコン中にニッケルを拡散させ、550°C以下の熱アニールをおこなうことによって、アモルファスシリコン中の水素の離脱を促進させる。このようにして、アモルファスシリコン中の水素濃度を十分に低くしたのち、レーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、結晶性シリコン膜を得る。
請求項（抜粋）：
水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する第1の工程と、前記アモルファスシリコン膜中に低濃度のニッケルを550°C以下の温度で熱的に拡散せしめることによって、水素の離脱を促進せしめる第2の工程と、前記アモルファスシリコン膜にレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、該アモルファスシリコン膜を結晶化せしめる第3の工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
