半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297122
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】基板全面に渡って、均一で安定した特性の高性能薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成されている。この活性領域は、非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を蒸着法により導入し、加熱処理と、レーザ光または強光照射とを行うことにより形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を蒸着法により導入し、該非晶質ケイ素膜に加熱処理と、レーザ光または強光照射とを行うことにより結晶成長させたものからなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-140915
特開平2-260524
特開昭63-142807

全件表示

前のページに戻る