特許
J-GLOBAL ID:200903044253579571

炭化珪素成形体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高畑 正也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-187773
公開番号(公開出願番号):特開平8-026714
出願日: 1994年07月18日
公開日(公表日): 1996年01月30日
要約:
【要約】【目的】 100〜5000μm の肉厚範囲で、材質組織に亀裂のない高品質の炭化珪素成形体を製品収率よく製造する方法を提供する。【構成】 炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解するCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去して炭化珪素成形体を得る方法において、炭素質基材として熱膨張係数(CTE) 2.0〜3.0 ×10-6/°Cで平滑表面を備える炭素質材料を選択使用する。この炭素質材料としては、表面を鏡面研磨したガラス状カーボン材または膨張黒鉛シートが用いられる。
請求項(抜粋):
炭素質基材の表面にハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解するCVD法によりSiC膜層を形成したのち、炭素質基材を除去して炭化珪素成形体を得る方法において、炭素質基材として熱膨張係数(CTE) が2.0〜3.0×10-6/°Cで平滑表面を備える炭素質材料を選択使用することを特徴とする炭化珪素成形体の製造方法。
IPC (3件):
C01B 31/36 ,  B28B 1/30 ,  C04B 41/87
引用特許:
出願人引用 (7件)
  • 特公昭59-050629
  • 特開昭56-026781
  • 特開平2-164783
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