特許
J-GLOBAL ID:200903044262660853
ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-153578
公開番号(公開出願番号):特開2002-353541
出願日: 2001年05月23日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】 希土類元素イオンが添加されたコアを有するファイバーを、レーザーダイオードによって励起してレーザービームを発生させるファイバーレーザーにおいて、より多くの発振波長を実現する。【解決手段】 Ho3+が添加されたコアを持つファイバー13をGaN系レーザーダイオード11によって励起し、該ファイバー13における 5S2 → 5I7 、あるいは 5S2 → 5I8 の遷移によってレーザービーム15を発生させる。
請求項(抜粋):
Ho3+が添加されたコアを持つファイバーをGaN系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバーにおける 5S2 → 5I7、あるいは 5S2 → 5I8 の遷移によってレーザービームを発生させる構成を有することを特徴とするファイバーレーザー。
IPC (3件):
H01S 3/094
, H01S 3/06
, H01S 3/10
FI (3件):
H01S 3/06 B
, H01S 3/10 Z
, H01S 3/094 S
Fターム (6件):
5F072AB07
, 5F072AK06
, 5F072FF03
, 5F072PP07
, 5F072RR03
, 5F072RR05
引用特許:
審査官引用 (2件)
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-279913
出願人:日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-099797
出願人:日亜化学工業株式会社
引用文献:
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