特許

J-GLOBAL ID：200903044273995792

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  三津木 亨 ,  笠原 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-199191
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115457
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 ガラスなどの耐熱性の低い材料を基板として用いながらも、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、単結晶に匹敵する高品質の結晶質半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板101上第1結晶質半導体膜103と第2結晶質半導体膜104が積層形成されそれが一体となって結晶質半導体層を構成している。第1及び第2結晶質半導体膜は、複数の結晶粒が集合した多結晶体である。しかしながら、それぞれの結晶粒の面方位は{101}の方位に30%以上、好ましくは80%以上の割合で揃っている。また、第1結晶質半導体膜の結晶粒の面方位に依存して第2結晶質半導体膜の面方位も同じ方向に揃っていて、その確率は60%以上である。

請求項（抜粋）：

シリコンに対し0.1乃至10原子%の割合でゲルマニウムを含む第1非晶質半導体膜を形成し、前記第1非晶質半導体膜に結晶化の触媒作用を有する元素を添加した後、不活性気体中にて加熱処理による第1結晶化処理と、酸化雰囲気中でレーザー光の照射による第2結晶化処理を行って第1結晶質半導体膜を形成し、前記第1結晶質半導体膜をエッチング処理により薄片化し、その後、前記第1結晶質半導体膜上に、シリコンを主成分とする第2非晶質半導体膜を形成し、不活性気体中で前記第2非晶質半導体膜を結晶化して、第2結晶質半導体膜を形成するステップを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 G ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 G

Fターム (104件)：

2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA18 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052CA04 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052GC10 ,  5F052HA03 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255494   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-199655   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100641   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240179   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-202985   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所