特許
J-GLOBAL ID:200903044279855623
プログラム動作を選択する不揮発性半導体メモリ装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-371519
公開番号(公開出願番号):特開平11-260078
出願日: 1998年12月25日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 低い電源電圧でチャージポンブ回路を使用せずプログラムを行うことができ、高い電源電圧でもプログラムを行うことができる不揮発性メモリ装置を提供すること。【解決手段】 複数のプログラムサイクルが可能な不揮発性半導体メモリ装置において、ビットラインとワードラインに連結される複数のメモリセルが形成されるメモリセルアレーと、複数のデータビットを受ける複数のデータバッファと、前記メモリセルアレーとデータバッファの間に配列される複数の書き込み駆動回路と、電源電圧の電流レベルに応じて前記書き込み駆動回路の制御のための選択信号を発生する回路とを含み、前記選択信号は、プログラムサイクルのうち、1サイクルで、プログラムされるデータビットの数を決定する。
請求項(抜粋):
複数のプログラムサイクルが可能な不揮発性半導体メモリ装置において、ビットラインとワードラインに連結される複数のメモリセルが形成されるメモリセルアレーと、複数のデータビットを受ける複数のデータバッファと、前記メモリセルアレーとデータバッファの間に配列される複数の書き込み駆動回路と、電源電圧の電流レベルに応じて前記書き込み駆動回路の制御のための選択信号を発生する回路とを含み、前記選択信号は、プログラムサイクルのうち、1サイクルで、プログラムされるデータビットの数を決定することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (5件):
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (3件):
G11C 17/00 611 Z
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-265187
出願人:株式会社東芝
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特開平1-125800
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-107169
出願人:日本電気株式会社
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