特許

J-GLOBAL ID：200903044286968468

LED発光装置

発明者： 井下 京治 ,  徳永 誠一 ,  亀山 真吾
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-254857
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116131
出願日： 2006年09月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】蛍光体の励起効率の向上を図るとともに、蛍光体が発する熱がLEDチップに悪影響を与えることを抑制するLED発光装置を提供する。【解決手段】LEDチップ2と、LEDチップ2上に設けられた第1樹脂層4と、第1樹脂層4上に設けられた第2樹脂層6と、第2樹脂層6上に設けられた第3樹脂層とをLED発光装置1が備え、第1樹脂層4が、屈折率n1を有する層であり、第2樹脂層が、LEDチップ2が発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体5を含み、屈折率n2を有する層であり、第3樹脂層8が、屈折率n3を有する層であり、屈折率n2は、屈折率n3よりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

LEDチップと、前記LEDチップ上に設けられた第1の層と、前記第1の層上に設けられた第2の層と、前記第2の層上に設けられた第3の層とを備え、 前記第1の層は、屈折率n1を有する層であり、 前記第2の層は、前記LEDチップが発する励起光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含み、屈折率n2を有する層であり、 前記第3の層は、屈折率n3を有する層であり、 前記屈折率n2は、前記屈折率n3よりも大きいことを特徴とするLED発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA26 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-052775   出願人：株式会社シチズン電子
• LED光源およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-246944   出願人：松下電器産業株式会社