特許

J-GLOBAL ID：200903044288693644

固体撮像デバイスの製造方法

発明者： キョン・ク・クオン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192705
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040815
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像デバイスの最終端の電荷転送効率を向上させる。【解決手段】 浮遊拡散領域及びそのほかの領域の一部領域でBCCDの濃度を高くして電位の変化を大きくした。第2導電型のウェルとBCCDが形成された第1導電型の基板の浮遊拡散領域形成にはその全体の箇所及びそれ以外の電荷転送に寄与する箇所の一部の領域のBCCDの濃度を高くし、その後、基板の上に転送ゲート、出力ゲート、リセットゲートを、及びBCCDの表面部に浮遊拡散領域、リセットドレイン領域をそれぞれ形成する。ウェルとBCCD領域の形成と濃度を高くする工程との順番を逆にしてもよい。

請求項（抜粋）：

第2導電型のウェル及びBCCDの形成された第1導電型の基板の浮遊拡散領域形成箇所及びそれ以外の電荷転送に寄与する箇所の一部の領域のBCCDの濃度を高くする段階と、基板の上に転送ゲート、出力ゲート、リセットゲートを形成し、かつBCCDの表面部に浮遊拡散領域、リセットドレイン領域を形成する段階とを備えることを特徴とする固体撮像デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-273449
  
• 電荷結合素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-318539   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-273449