特許

J-GLOBAL ID：200903044295404054

単結晶薄膜成長方法

発明者： 齋藤 修一 ,  岡林 秀和 ,  森 博太郎 ,  小松 正雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142578
公開番号（公開出願番号）：特開平7-002599
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：

【要約】【目的】 非晶質シリコンを再結晶化する際のランダムな核発生を抑制し、絶縁膜上により広い面積の単結晶膜を結成する。【構成】 シリコン基板1上に酸化膜2を形成し、開口3を設ける。次に開口3表面の自然酸化膜等を除去した後、MBEで非晶質シリコン膜4を堆積する。電子ビーム5を1〜2Mevでドーズ量1×1023cm-2照射した。基板温度は室温または600°Cとする。次に600°C、窒素中で1〜10時間熱処理し、電子線を1×1022cm-2以上照射すると、結晶鹿野熱処理の際非晶質シリコン中で発生するランダムな核発生が1〜2桁程度低減でき、横方向の成長距離が増加する。一方、照射量が1×1020cm-2〜1×1022cm-2の場合は逆に核発生が促進される。従って非晶質シリコンと単結晶したシリコンとの境界に照射すると単結晶化が促進され横方向の成長距離が延びる。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成し絶縁膜の一部に開口を設けた後に、非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に1×1022cm-2以上のドーズ量の電子線を照射し、さらに熱処理を行うこと、あるいは電子線の照射時に基板を加熱しておき、照射と同時に熱処理効果を持たせることを特徴とする単結晶薄膜成長方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-257123
  
• 特開平2-007417
  
• 特開昭59-061137