特許
J-GLOBAL ID：200903044305608044

錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子

発明者：
原 利久

原 利久 について

, 
西村 昌泰

西村 昌泰 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (1件)： 香本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082499
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の接触抵抗が低く、加工性のよい嵌合型端子を提供する。【解決手段】 銅又は銅合金からなる母材の表面に、錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層を有する端子。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地として、ニッケル合金めっき層(図2(b))、錫めっき層(図2(c))、錫めっき層及びニッケル合金めっき層(図2(d))等を形成してもよい。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層及び下地の錫又は錫合金めっき層は合計で0.5μm以上の厚さを有するのが望ましい。
請求項（抜粋）：
銅又は銅合金からなる母材の表面に錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層が形成されていることを特徴とする錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子。
IPC (5件)：
C25D 15/02 ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/00 ,  H01R 13/03
FI (5件)：
C25D 15/02 E ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/00 H ,  H01R 13/03 D
Fターム (12件)：
4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB12 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024BC10 ,  4K024CB21 ,  4K024DB01 ,  4K024GA04 ,  4K024GA07 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM