錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：香本薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082499
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】挿入力が低く、耐食性に優れ、経時後の接触抵抗が低く、加工性のよい嵌合型端子を提供する。【解決手段】銅又は銅合金からなる母材の表面に、錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層を有する端子。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地として、ニッケル合金めっき層(図2(b))、錫めっき層(図2(c))、錫めっき層及びニッケル合金めっき層(図2(d))等を形成してもよい。錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層及び下地の錫又は錫合金めっき層は合計で0.5μm以上の厚さを有するのが望ましい。

請求項（抜粋）：

銅又は銅合金からなる母材の表面に錫-銅金属間化合物が分散した錫めっき層が形成されていることを特徴とする錫-銅金属間化合物分散錫めっき端子。

IPC (5件)：

C25D 15/02 , C25D 5/12 , C25D 5/50 , C25D 7/00 , H01R 13/03

FI (5件)：

C25D 15/02 E , C25D 5/12 , C25D 5/50 , C25D 7/00 H , H01R 13/03 D

Fターム (12件)：

4K024AA21 , 4K024AB02 , 4K024AB03 , 4K024AB12 , 4K024BA09 , 4K024BB10 , 4K024BC10 , 4K024CB21 , 4K024DB01 , 4K024GA04 , 4K024GA07 , 4K024GA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

嵌合型接続端子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-275983 出願人：株式会社ハーネス総合技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社
多極端子用錫又は錫合金めっき銅合金及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-241387 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平4-329891

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