金属電極用のルテニウム膜の化学気相堆積

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-236841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161367
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】【課題】液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法を提供する。【解決手段】液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法では、供給源材料が室温で液体であり、ルテニウム膜の堆積が動力学的に限定された温度領域の温度で行われるように処理条件を利用する。更に、液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム薄膜を基板に堆積する方法では、ビス-(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを液体供給源として用い、CVDの供給源材料ガスを形成するためにビス-(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを約100°C〜約300°Cの蒸発温度で蒸発させるステップと、酸素源反応ガスを提供するステップ、反応チャンバでCVDの供給源材料ガス及び酸素源反応ガスを用いて約100°C〜約500°Cの基板の温度でルテニウム薄膜を基板に形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法であって、前記ルテニウム膜が動力学的に限定された温度領域の温度で堆積される処理条件を選択するステップと、ルテニウム薄膜を上記基板に堆積するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z

Fターム (14件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104DD45 , 4M104FF13 , 4M104GG16

引用文献：

審査官引用 (1件)

Ruthenium Films Prepared by Liquid Source Chemical Vapor Deposition Using Bis-(ethylcyclopentadienyl

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