半導体装置とその製造方法及び電子装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372449
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207368
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】実装後に半田バンプの耐久性が良く、半導体装置の信頼性を向上できる半導体装置とその製造方法及び該半導体装置を含む電子装置の提供。【解決手段】半導体基板21の表面に絶縁層23が設けられ、該絶縁層上に導電層24が設けられ、該導電層上に封止層26が設けられ、該封止層に前記導電層を露出させた前記電極パッド25が複数個近接配置され、これらの電極パッドをつないでアーチ状半田バンプ27が設けられた半導体装置20。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板(21)の表面に絶縁層(23)が設けられ、該絶縁層上に導電層(24)が設けられ、該導電層上に封止層(26)が設けられ、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドが設けられ、該電極パッド上に半田バンプが設けられた半導体装置において、前記封止層に前記電極パッド(25)が複数個近接配置され、これらの電極パッドをつないでアーチ状半田バンプ(27)が設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (2件)：

H01L21/92 602Q , H01L21/92 602P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-012830
特開平2-012830
特開平2-026043

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