半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170787
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280417
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】多元系の金属組成によって構成されたハンダを使用することなく、従来使用している2元系のハンダを使用した場合であっても、接合部の界面反応を制御することができる信頼性の高い半導体チップの電極構造、該電極構造を有する信頼性の高い半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置の提供。【解決手段】接着層5上に、鉛フリーハンダとして主に使用される錫を主成分としたハンダに対して錫の溶解、拡散を防止するためのハンダ合金化層8を薄く形成し、錫系ハンダをハンダペーストもしくはハンダボールの形態で供給し、加熱溶融することにより、錫とハンダ合金化層8および錫と接着層5の各々2つの複合した金属間化合物となる複合ハンダ合金層6を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、配線層上に形成された第1の金属を含む接着層上に、合金ハンダからなるハンダバンプを有する半導体装置において、前記ハンダバンプと前記接着層との間に、前記合金ハンダの主となる金属と該金属とは異なる第2の金属とを含む金属間化合物が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/60 311 Q , H01L 21/92 602 H , H01L 21/92 603 E , H01L 21/92 604 M

Fターム (3件)：

5F044QQ03 , 5F044QQ04 , 5F044QQ05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及び半田による接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-323197 出願人：富士通株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065419 出願人：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
特開昭58-007833

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