特許
J-GLOBAL ID：200903044329283294

半導体スイッチング装置

発明者：
高良 正行

高良 正行 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-070098
公開番号（公開出願番号）：特開2003-274672
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 低電流時にゲート抵抗を大きくしてノイズを低減する一方、大電流時にゲート抵抗を小さくしてスイッチング損失を低減するノイズ対策では、サージ電圧が出やすい大電流のターンオフ時に、ゲート抵抗が小さくなっているため、サージ電圧の抑制が困難であった。【解決手段】 スイッチング素子(1)のゲート抵抗(3)に対して、抵抗(4)をスイッチ(5)を介して並列に接続し、温度センス(11)の検出温度が所定温度を超え、かつ電流センス(12)の検出電流が所定値以上の場合にはスイッチ(5)がオンにされ、ゲート抵抗は、抵抗(3)、(4)の並列抵抗とし、それ以外の場合は、ゲート抵抗は抵抗(3)のみとする。
請求項（抜粋）：
半導体スイッチング素子を含む半導体スイッチング装置において、半導体スイッチング素子の電流を検出する電流センスおよび前記素子の温度を検出する温度センスを備え、前記電流センスで検出した電流が所定値以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をR1とし、前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度を超える場合、前記ゲート抵抗値をR1より小さいR2とし、前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をR1としたことを特徴とする半導体スイッチング装置。
IPC (2件)：
H02M 7/537 ,  H02M 1/08
FI (2件)：
H02M 7/537 B ,  H02M 1/08 A
Fターム (21件)：
5H007AA01 ,  5H007AA07 ,  5H007AA12 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB03 ,  5H007DC02 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740KK01 ,  5H740MM01 ,  5H740MM08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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