電圧駆動型電力用半導体装置およびそのゲート制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-235015
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】複数個の電力用半導体素子を並列接続して運転する場合に素子毎の電流バランスが良好になるように駆動する。【解決手段】並列接続された複数個のIGBT素子11、12と、各素子のゲート電流を対応して制御するためのゲート電流制御回路16、17と、各素子が組み込まれる実機において予め各素子のオン時の電源電圧値・負荷電流値・ゲート電圧値・素子温度値のうちの少なくとも1つの動作条件を変えてスイッチングを行うことによって各条件におけるオン時の各素子間の電流バランスが良好になる各素子のゲート電流値を測定したデータを記憶しておくROM15と、実機の実際の運転時における各素子のオン時における少なくとも1つの動作条件に応じてROMの記憶データに基づいて各素子間の電流バランスが良好になるように各ゲート電流制御回路を制御するゲート駆動回路182 を具備する。

請求項（抜粋）：

並列接続された複数個の電圧駆動型電力用半導体素子と、前記複数個の半導体素子の各ゲート電流を対応して制御するための複数個のゲート電流制御回路と、前記複数個の半導体素子が組み込まれる実機において予め前記複数個の半導体素子のオン時の電源電圧値・負荷電流値・ゲート電圧値・素子温度値のうちの少なくとも1つの条件を変えてスイッチングを行うことによって各条件におけるオン時の前記複数個の半導体素子間の電流バランスが良好になる前記複数個の半導体素子の各ゲート電流値を測定したデータを記憶しておく記憶装置と、前記実機の実際の運転時における前記複数個の半導体素子のオン時における電源電圧値・負荷電流値・ゲート電圧値・素子温度のうちの少なくとも1つの条件に応じて前記記憶装置の記憶データに基づいて前記複数個の半導体素子間の電流バランスが良好になるように前記複数個のゲート電流制御回路をそれぞれ制御するゲート駆動回路を具備することを特徴とする電圧駆動型電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 1/08 341 , H02M 1/08 , H03F 3/20

FI (3件)：

H02M 1/08 341 B , H02M 1/08 341 A , H03F 3/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

電力変換器及びその制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-172171 出願人：株式会社東芝
電力素子の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210025 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
特開昭57-145570

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