特許

J-GLOBAL ID：200903044347331905

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223714
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 高い信頼性と動作性能とを兼ね備えた半導体装置を作製する。【解決手段】 ゲート電極に重なるLDD領域と重ならないLDD領域とを有し、前記ゲート電極に重なるLDD領域は不純物濃度がチャネル形成領域から遠ざかるにつれて高くなるというNTFTを用いて回路を形成する。その際、動作電圧の違いに応じて前記ゲート電極に重なるLDD領域と重ならないLDD領域の長さを最適化する。

請求項（抜粋）：

同一基板上に第1のNTFT及び第2のNTFTを含む半導体装置において、前記第1のNTFT及び前記第2のNTFTは、半導体層、ゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と交差するゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域、第1の不純物領域、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように設けられた第2の不純物領域及び前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間に設けられた第3の不純物領域からなり、前記第2の不純物領域に含まれる周期表の15族に属する元素の濃度は前記第3の不純物領域に近づくにつれて高くなる勾配を示し、前記第1のNTFTに設けられた第2の不純物領域の長さは、前記第2のNTFTに設けられた第2の不純物領域の長さとは異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331

FI (5件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 27/08 331 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 613 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-218063   出願人：富士通株式会社