特許
J-GLOBAL ID：200903017923939500

エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法

発明者：
石田 幸政

石田 幸政 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218063
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047263
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 エッチング、薄膜トランジスタマトリックス基板およびその製造方法に関し、段差を緩和することのできるエッチング方法を提供する。【解決手段】 下地表面上にAlまたはAl合金の層を形成する工程と、前記AlまたはAl合金の層の表面をTMAHで処理する工程と、前記TMAHで処理したAlまたはAl合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記AlまたはAl合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
(a)下地表面上にAlまたはAl合金の層を形成する工程と、(b)前記AlまたはAl合金の層の表面をTMAHで処理する工程と、(c)前記TMAHで処理したAlまたはAl合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、(d)前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記AlまたはAl合金の層をウエットエッチングする工程とを含むAlまたはAl合金の層のエッチング方法。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 F ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (48件)：
2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB27 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB44 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA19 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4K057WA20 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WB15 ,  4K057WC10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE04 ,  4K057WN01 ,  5F043AA24 ,  5F043AA27 ,  5F043BB16 ,  5F043CC11 ,  5F043DD02 ,  5F043FF04 ,  5F043GG04
引用特許：
審査官引用 (13件)
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