特許

J-GLOBAL ID：200903044384693078

セラミック配線基板

発明者： 仲川 彰一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339374
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164996
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】大電流が印加されるような配線導体層とセラミック絶縁基板の熱膨張差により生じる配線導体層の端部の剥離の発生を防止し、あらゆる環境下においても配線導体層と絶縁基板の接合状態を良好な状態に保つ。【解決手段】アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素などのセラミック絶縁基板2表面に、深さtが100μm以上の凹部4内にCu、Ag、Au、Al、SnおよびPbの群から選ばれる少なくとも1種を主成分とする導電体が埋設されてなる1A以上の電流が流される配線導体層3が形成されたセラミック配線基板1であって、凹部4の基板表面側の開口幅xが、凹部内の最大幅yよりも小さく、特に、(y-x)/(2t)で表される値が、1以上となるように設定する。

請求項（抜粋）：

セラミック絶縁基板表面に、深さ100μm以上の凹部内に導電体が埋設されてなる配線導体層が形成された配線基板であって、前記凹部の基板表面側の開口幅が、前記凹部内の最大幅よりも小さいことを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (3件)：

H05K 1/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/09

FI (3件)：

H05K 1/02 J ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/09 A

Fターム (17件)：

4E351AA08 ,  4E351BB01 ,  4E351BB37 ,  4E351CC12 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD10 ,  4E351DD12 ,  4E351GG04 ,  5E338AA18 ,  5E338BB19 ,  5E338BB25 ,  5E338CC04 ,  5E338CC08 ,  5E338EE02 ,  5E338EE11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電力用ハイブリツドICの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223013   出願人：双信電機株式会社
• 特開昭64-082595
  
• 回路基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-150904   出願人：三菱伸銅株式会社
• 特開昭64-082595