特許

J-GLOBAL ID：200903044395898569

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052052
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263340
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 非晶質半導体膜を熱処理を施すことによって形成する多結晶半導体膜形成方法に於て、より大きな結晶粒から成ると共に、その熱処理時間を短時間なものとする製造方法を提供する。【構成】 導電型決定不純物が所定の濃度でドーピングされた非晶質半導体膜(2)と、真性非晶質半導体膜(3)とを、接触状態で熱処理を施すことにより多結晶化させることにある。

請求項（抜粋）：

導電型決定不純物が所定量にドーピングされた非晶質半導体膜と、半導体膜とを、接触状態で熱処理を施すことによりこれら半導体膜を多結晶化させる多結晶半導体膜の製造方法であって、上記所定量が、上記非晶質半導体膜からの多結晶化が急激に進行せしめる量に設定されていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306183   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-088321
  
• 特開平4-088642
  
• 特開平4-299575