特許

J-GLOBAL ID：200903044409070674

高品質多結晶シリコンの製造方法

発明者： 奈良 正功
出願人/特許権者： JFEスチール株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370347
公開番号（公開出願番号）：特開2005-132671
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【要 約】【課 題】 セル化を実施した際に変換効率を最適化するために、結晶粒の方位をそろえた多結晶シリコンの製造方法を提供する。【解決手段】 溶融したシリコンを鋳型内でキャスト法によって凝固させてシリコンインゴットを得る多結晶シリコンの製造方法において、凝固初期にデンドライトを発生させて、デンドライトの結晶から溶融シリコンの凝固成長を促すことで、結晶成長面の方位をそろえる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

溶融したシリコンを鋳型内でキャスト法によって凝固させてシリコンインゴットを得る多結晶シリコンの製造方法において、凝固初期にデンドライトを発生させて、前記デンドライトの結晶から溶融シリコンの凝固成長を促すことで、結晶成長面の方位をそろえることを特徴とする高品質多結晶シリコンの製造方法。

IPC (4件)：

C01B33/02 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

FI (4件)：

C01B33/02 E ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 501Z ,  H01L31/04 X

Fターム (17件)：

4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072NN01 ,  4G072NN02 ,  4G072TT30 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BA04 ,  4G077CD08 ,  4G077HA01 ,  4G077MB14 ,  4G077MB31 ,  5F051AA03 ,  5F051CB05 ,  5F051CB29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-166711 号公報
  
• 一方向凝固材の製造方法および一方向凝固装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299423   出願人：株式会社日本製鋼所