特許

J-GLOBAL ID：200903044418283176

半導体装置およびその製造方法並びに実装方法

発明者： 上田 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-171020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037253
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 耐湿性等信頼性が高くかつ高密度の実装が可能な汎用性の優れた半導体装置およびその製造方法並びに実装方法を得る。【構成】 半導体チップ2上に設けられ、導体層10を有するテープ9と、半導体チップ2上に設けられた電極であるボンディングパッド3と導体層10とを電気的に接続する金属細線11と、半導体チップ2、導体層10、テープ9および上記金属細線11を樹脂封止する封止樹脂6と、この封止樹脂6に設けられた開口部12を介して導体層10に接続された外部電極である半田バンプ5とで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に設けられ、導体層を有する接着部材と、上記半導体チップ上に設けられた電極と上記導体層とを電気的に接続する接続部材と、上記半導体チップ、上記導体層、上記接着部材および上記接続部材を樹脂封止する封止部材と、この封止部材に設けられた開口部を介して上記導体層に接続された外部電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• モールド型ICパツケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244489   出願人：新日本無線株式会社