半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183952
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111519
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】水による腐食性の大きな金属材料からなる配線、電極、パッド等の金属パターンを有する半導体装置に関し、水の侵入を抑制するとともに、侵入した水による金属パターンのコロージョン反応を防止すること。【構成】水と反応する材料よりなる金属パターン6aと、水の侵入経路と前記金属パターン6aとの間に形成され、かつ前記金属パターン6aよもイオン化傾向の小さな金属よりなる金属製保護膜7とを含む。

請求項（抜粋）：

水と反応する材料よりなる金属パターンと、水の侵入経路と前記金属パターンの間に形成され、かつ前記金属パターンよもイオン化傾向の小さな金属よりなる金属性保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/41 , H01L 21/3205 , H01L 29/43 , H01L 29/872 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (7件)：

H01L 29/44 C , H01L 21/88 S , H01L 29/46 R , H01L 29/48 M , H01L 29/80 M , H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-030139
化合物半導体装置における電極配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-101007 出願人：株式会社東芝
特開平3-185731

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