特許

J-GLOBAL ID：200903044443933614

光電変換膜積層型固体撮像素子

発明者： 横山 大輔 ,  福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-058870
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245285
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 色分離性能が高く感度も高い光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。【解決手段】 共通電極膜13,17,21と画素対応の画素電極膜11,15,19とによって挟まれた光電変換膜12,16,20が絶縁層14,18を介して半導体基板1の上に少なくとも3層積層される光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記3層のうちの最上層の光電変換膜20を粒径が1.0nm以上2.0nm以下の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記3層のうちの中間層の光電変換膜16を粒径が1.5nm以上3.0nm以下の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記3層のうちの最下層の光電変換膜12を粒径が2.5nm以上の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記ナノ粒子の夫々を平均膜厚0.5nm〜2.0nmの絶縁膜で被覆して構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が絶縁層を介して半導体基板の上に少なくとも3層積層され、各層毎の光電変換膜に夫々被着される前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とを柱状電極で接続する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記3層のうちの最上層の光電変換膜を粒径が1.0nm以上2.0nm以下の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記3層のうちの中間層の光電変換膜を粒径が1.5nm以上3.0nm以下の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記3層のうちの最下層の光電変換膜を粒径が2.5nm以上の半導体結晶によるナノ粒子で形成し、前記ナノ粒子の夫々を平均膜厚0.5nm〜2.0nmの絶縁膜で被覆したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 9/07 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 E ,  H04N9/07 A ,  H01L31/10 A

Fターム (29件)：

4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA09 ,  4M118CA14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  5C065BB06 ,  5C065BB13 ,  5C065BB42 ,  5C065CC01 ,  5C065DD17 ,  5F049MA02 ,  5F049MB04 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA01 ,  5F049PA07 ,  5F049QA07 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202885   出願人：ソニー株式会社
• 米国特許第5965875号明細書
  
• 光電変換膜とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-178413   出願人：日本放送協会
• カラーセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315957   出願人：松下電器産業株式会社, 松下電子工業株式会社