特許
J-GLOBAL ID：200903044449689332
半導体基板研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-179648
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：
【要約】【課題】研磨速度の低下を防ぎコンディショナ表面のダイヤモンドが脱落した場合に脱落屑によりウェハ表面にスクラッチが生じることを回避する研磨装置の提供。【解決手段】回転テーブル2に貼付けられた研磨パッド1と、表面を研磨パッドに対向させてウエハキャリア4に保持されるウェハ3と、研磨パッドに加圧接触され研磨パッド上を揺動し回転駆動されるコンディショナ6とを備え、回転テーブルとウェハキャリアはそれぞれ回転駆動されウェハを研磨パッドに加圧接触させ、研磨パッドとウェハとの間にスラリー供給口5からのスラリーが流れ込みウェハ表面の研磨を行うCMP装置において、コンディショナ6の周囲に吸引孔を持つ吸引部7を取り付け、研磨パッドコンディショニングによる研磨屑およびパッド屑が、吸引部から直ちに回収する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を化学機械研磨を行う装置において、研磨パッドコンディショナの周囲に吸引孔を持つ吸引部を備え、研磨時、研磨パッドのコンディショニングによって生じた研磨屑およびパッド屑が前記吸引部から直ちに回収できる、ように構成されてなることを特徴とする研磨装置。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 622
B24B 37/00 A
, H01L 21/304 622 M
