パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-158582
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311474
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】本発明の目的は、同一のフォトレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネス(LWR)が良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。【解決手段】同一のレジスト膜に対して、複数回の露光を行い、少なくとも一つの、露光と露光との間において、レジスト膜を加熱する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

同一のレジスト膜に対して、複数回の露光を行い、少なくとも一つの、露光と露光との間において、レジスト膜を加熱する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/039 , G03F 7/38

FI (6件)：

H01L21/30 514E , G03F7/039 601 , G03F7/38 501 , G03F7/38 511 , H01L21/30 514A , H01L21/30 568

Fターム (31件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB13 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 5F046AA13 , 5F046AA17 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジストパタン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-175821 出願人：学校法人東京電機大学

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