特許
J-GLOBAL ID：200903044514994369
面発光型半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-282039
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111167
出願日： 2007年10月30日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】 フォトニック結晶構造を利用した面発光型半導体レーザ素子であって、レーザ光を効率的に出力可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ素子10は、基板12と、基板12の主面12a上に設けられている活性層16と、活性層16と光学的に結合しているフォトニック結晶層20と、半導体レーザ素子10で発生されるレーザ光を出力する光出力面Sと、光出力面S上に設けられた電極28とを備え、フォトニック結晶層20は、活性層で発生した光に含まれる所定波長の光の一部を光出力面側に回折せしめると共に、所定波長の光の他の部分を主面に略平行な面内に閉じ込める2次元フォトニック結晶構造を有し、所定波長は上記レーザ光の波長であり、電極は少なくとも1つの縁部28a,28bを有しており、フォトニック結晶層には、縁部の直下近傍に位相シフト部36x,36yが形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
面発光型半導体レーザ素子であって、
基板と、
前記基板の主面上に設けられておりキャリアが注入されると光を発生する活性層と、
前記基板の前記主面上に設けられており前記活性層と光学的に結合しているフォトニック結晶層と、
前記主面に略直交する方向において前記フォトニック結晶層からみて前記基板と反対側に位置しており、前記面発光型半導体レーザ素子で発生されるレーザ光を出力する光出力面と、
前記光出力面上に設けられており前記活性層に前記キャリアを与える電極と、
を備え、
前記フォトニック結晶層は、前記活性層で発生した光に含まれる所定波長の光の一部を前記光出力面側に回折せしめると共に、前記所定波長の光の他の部分を前記主面に略平行な面内に閉じ込める2次元フォトニック結晶構造を有しており、
前記所定波長は前記レーザ光の波長であり、
前記電極は少なくとも1つの縁部を有しており、
前記フォトニック結晶層には、前記縁部の直下近傍に位相シフト部が形成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173AB52
, 5F173AF60
, 5F173AR01
, 5F173MF12
