半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：長谷川芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141793
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332351
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】従来とは異なった構成の面発光が可能な半導体発光デバイス、およびこのような半導体発光デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体発光デバイス(1)では、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層(14、18)は、基板(10)の主面上に設けられている。活性層(16)は、キャリアが注入されると光を発生するように設けられ、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層(14、18)に挟まれている。2次元回折格子(24)は、活性層(16)において発生されるべき光の波長を規定するように設けられ、基板(10)の主面が延びる方向に沿って延びている。この結果、活性層(16)において発生され2次元回折格子(24)によって波長が規定された光が、光放出面(26)から放出される。光放出面(26)は、2次元回折格子(24)が延びる方向に沿って設けられる。

請求項（抜粋）：

基板の主面上に設けられた第1導電型半導体層と、前記基板の主面上に設けられた第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層に挟まれ、キャリアが注入されると光を発生する活性層と、前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生されるべき光の波長を規定する2次元回折格子と、前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面と、を備える半導体発光デバイス。

IPC (2件)：

H01S 5/125 , G02B 5/18

FI (2件)：

H01S 3/18 644 , G02B 5/18

Fターム (15件)：

2H049AA03 , 2H049AA13 , 2H049AA33 , 2H049AA37 , 2H049AA55 , 2H049AA64 , 5F073AA63 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073AA89 , 5F073AB17 , 5F073CA12 , 5F073DA16 , 5F073EA20

引用特許：

審査官引用 (11件)

フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-108271 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-167484
特開平4-167484

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