マグネトロンスパッタリング成膜装置及び方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212740
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】成膜条件の変更に対して柔軟に対応して、成膜膜厚の面内均一性を向上させることが可能なマグネトロンスパッタリング成膜装置を提供する。【解決手段】マグネトロンスパッタリング成膜装置は、気密な処理室10内で対向するサセプタ14とターゲットホルダ16とを有する。サセプタ14上に半導体ウエハWが載置される。ターゲットホルダ16には成膜材料を含むターゲットTが取付けられる。ターゲットホルダ16には第1RF電源17が接続される。ターゲットTの下面に対して平行な磁力線を中心とした磁界を形成するため電磁石18が配設される。サセプタ14とターゲットホルダ16との間にコイルアンテナ21が配設される。コイルアンテナ21には第2RF電源22が接続される。第2RF電源22は第1RF電源17から独立して電力値を変更可能である。

請求項（抜粋）：

基板上に膜を形成するためのマグネトロンスパッタリング成膜装置であって、気密な処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給系と、前記処理室内を排気すると共に減圧雰囲気に設定するための排気系と、前記処理室内に配設され且つ前記基板を支持するための載置面を有する下側電極と、前記下側電極と対向するように前記処理室内に配設された上側電極と、前記載置面上に支持された前記基板と対向する表面を有するように前記上側電極に取付けられた、前記膜の材料を含むターゲットと、前記下側電極及び前記上側電極間にRF電力を付与することにより、前記処理室内で前記処理ガスをプラズマに転化するための第1電界を形成するための第1電源と、ここで、前記第1電界は、前記プラズマ中のイオンを前記ターゲットの前記表面に対して引付けると共に衝突させることにより、前記ターゲットから前記材料の粒子を放出させるように形成されることと、前記ターゲットの前記表面上に前記表面に対して平行な磁力線を中心とした磁界を形成するための磁界形成手段と、ここで、前記第1電界と前記磁界とは、前記ターゲットの前記表面の中央部に対応してプラズマ密度が高いか或いは前記表面の全体に亘って前記プラズマ密度が実質的に均一となるような第1電離状態を協働して形成するように設定されることと、前記下側電極と前記上側電極とを結ぶ方向を軸として巻回され、且つその中心が前記下側電極及び前記上側電極間で前記上側電極に近い位置に配置されたコイルアンテナと、前記コイルアンテナの両端間にRF電力を付与することにより、前記処理室内で前記処理ガスをプラズマに転化するための第2電界を形成するための第2電源と、ここで、前記第2電源は、前記第1電離状態を補正するように、前記第1電源から独立して前記第2電界の強度を調整するように電力値を変更可能であり、前記ターゲットの前記表面の周辺部に対応して前記プラズマ密度を高めるように前記第1電離状態を補正することにより、前記基板上に形成される前記膜の厚さの面内均一性を向上させることが可能であることと、を特徴とするマグネトロンスパッタリング成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/35 , H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 14/35 E , H01L 21/285 S

Fターム (11件)：

4K029CA05 , 4K029DA02 , 4K029DA04 , 4K029DA12 , 4K029DC05 , 4K029DC28 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K029FA04 , 4M104DD39

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-346829
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-010634 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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