特許

J-GLOBAL ID：200903044525749420

磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド

発明者： 佐々木 重邦 ,  松浦 徹 ,  古谷 彰教 ,  澤田 廉士
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276828
公開番号（公開出願番号）：特開平6-101070
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月12日
要約：

【要約】【目的】 磁場制御型反応性イオンエッチングに用いる加工速度が早いポリイミド及びその使用方法を提供する。【構成】 フッ素含量が5wt%から28wt%の範囲で、かつ繰返し単位中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素化ポリイミドが含まれている磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド。反応性イオンエッチングを用いる精密加工において、加工材として前記ポリイミドを用いる反応性イオンエッチング方法。【効果】 加工表面が平滑であり、膜の品質も優れている。

請求項（抜粋）：

フッ素含量が5wt%から28wt%の範囲で、かつ繰返し単位中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素化ポリイミドが含まれていることを特徴とする磁場制御型反応性イオンエッチング用ポリイミド。

IPC (5件)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/00 ,  G03F 7/038 504 ,  H05K 1/03 ,  C08G 73/10 NTF