半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323656
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】高周波用インダクタ素子のインダクタンスを全方位にわたって向上させる。【解決手段】半導体基板1上に形成された第1の絶縁体層2と、この第1の絶縁体層2上に形成されたインダクタ素子11と、このインダクタ素子11を覆うように第1の絶縁体層2上に形成された第2の絶縁体層4と、第1の絶縁体層2の下面側および第2の絶縁体層4の上面側の少なくとも一方の側に形成されかつ一軸磁気異方性を有する軟磁性薄膜21a,21bの多層構造21とを備え、この多層構造の各層の軟磁性薄膜21a,21bは、膜面内における磁化容易軸方向が互いに異なることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁体層と、この第1の絶縁体層上に形成されたインダクタ素子と、このインダクタ素子を覆うように前記第1の絶縁体層上に形成された第2の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層の下面側および前記第2の絶縁体層の上面側の少なくとも一方の側に形成されかつ一軸磁気異方性を有する軟磁性薄膜の多層構造とを備え、この多層構造の各層の前記軟磁性薄膜は、膜面内における磁化容易軸方向が互いに異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 10/06 , H01F 17/00 , H01F 41/04

FI (4件)：

H01L 27/04 L , H01F 10/06 , H01F 17/00 B , H01F 41/04 C

Fターム (18件)：

5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA11 , 5E049EB01 , 5E049FC10 , 5E049GC04 , 5E049GC08 , 5E062DD01 , 5E070AA01 , 5E070AB04 , 5E070BA20 , 5E070BB01 , 5E070CB12 , 5E070CB20 , 5F038AZ04 , 5F038CA01 , 5F038EZ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-363006
平面型磁気素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-043008 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

特開平4-363006

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