特許
J-GLOBAL ID：200903091318332313
平面型磁気素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043008
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013256
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 コストパフォーマンスに優れた超小型薄型の平面型磁気素子を簡便に製造できる方法を提供する。【構成】 第1の半導体基板上に熱酸化膜、磁性膜、および層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜上に平面コイル、および層間絶縁膜を形成する工程と、第2の半導体基板上に絶縁膜、磁性膜を形成する工程と、第1のシリコン基板のコイル側と第2のシリコン基板の磁性膜側とが互いに面するように配置し、両者を密着する工程とにより、平面型磁気素子を製造する。
請求項（抜粋）：
平面コイルを形成する工程、基板上に磁性膜を形成する工程、前記平面コイルと前記基板とを、基板上の磁性膜が平面コイルに面するように配置して、絶縁膜を介して互いに密着する工程とを具備したことを特徴とする平面型磁気素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 41/04
, H01F 17/00
, H01F 41/18
