特許
J-GLOBAL ID：200903044535816975
平均結晶子径の測定方法及び薄膜の作製方法、作製装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092945
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：
【要約】【課題】 1μm四方以下の微小領域に形成される結晶構造を有する材料の薄膜の平均結晶子径の測定方法の提供、並びに該薄膜の作製装置の提供。【解決手段】 紫外線領域に吸収を持ちかつ結晶構造を有する材料の試料に電子線を照射し、反射した電子のエネルギー損失スペクトルを測定し、該スペクトルを利用する、例えば、電子エネルギー損失スペクトル中に現れる(1)プラズモンピークのエネルギー値と、弾性散乱ピークに対するプラズモンピークの相対強度、又はその形状、(2)π→π*遷移に由来するピークのエネルギー値と、弾性散乱ピークに対するπ→π*ピークの相対強度、又はその形状、あるいは(3)非弾性散乱電子により形成される連続的なスペクトルのバックグランドの形状、又は弾性散乱ピークに対するある一点の相対強度、と該試料の平均結晶子径との間の相関関係を用いて結晶子径を求める。
請求項（抜粋）：
紫外線領域に吸収を持ちかつ結晶構造を有する材料の平均結晶子径を測定する方法において、被分析試料に電子線を照射し、反射した電子のエネルギー損失スペクトルを測定し、該スペクトルを利用することを特徴とする測定方法。
IPC (4件)：
C23C 16/52
, C01B 31/04 102
, C30B 25/16
, G01N 23/20
C23C 16/52
, C01B 31/04 102
, C30B 25/16
, G01N 23/20
