半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237250
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】動作層の上に絶縁膜を付けてゲート電極と共にフィールドプレートを設けてドレイン電圧によるゲート-ドレイン間の電界を緩和する構造のFETにおいては、例えばドレイン電圧を20Vにし、高温通電試験を行うと、フィールドプレート端での電界が、数100kV/cm以上と高く、これによって絶縁膜が分解反応を起こし、ゲート電流が短期間のうちに増加してしまうという問題があった。【解決手段】フィールドプレート6のドレイン側側面近傍に、ゲート電極5及びフィールドプレート6の下敷きとなる酸化膜の薄い領域13を形成しておくことにより、高温長時間通電時にフィールドプレート6端部とドレイン間に印加される電界を緩和でき、半導体装置としての信頼性を向上させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

動作層と、前記動作層と同じ導電型の不純物を高濃度に含み、前記動作層の両側に位置するソースコンタクト層及びドレインコンタクト層と、前記ソースコンタクト層と前記ドレインコンタクト層との間に開口部を有し、かつ、少なくとも前記ソースコンタクト層と前記ドレインコンタクト層との間に挟まれた前記動作層の表面を覆う絶縁膜と、少なくとも前記開口部を覆うゲート電極とを備える半導体装置であって、前記ソースコンタクト層と前記ドレインコンタクト層との間の前記絶縁膜上にあって、前記ゲート電極と前記ドレインコンタクト層との間に前記ゲート電極と連結するフィールドプレートを有し、かつ、前記フィールドプレートの下方から前記ドレインコンタクト層に到る領域において前記絶縁膜が少なくとも絶縁膜厚の薄い部分を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA09 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GR06 , 5F102GR13 , 5F102GT05 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102HC17

引用特許：

審査官引用 (3件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-168602 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-087773
特開平1-165174

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