特許

J-GLOBAL ID：200903097267332532

電界効果型トランジスタ

発明者： 水田 正志 ,  葛原 正明 ,  梨本 泰信 ,  麻埜 和則 ,  三好 陽介 ,  望月 康則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168602
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003919
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】高い耐圧特性と良好な高周波特性を兼ね備えたショットキ・ゲート電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極5とドレイン電極8との間に、チャンネル層2の上部に絶縁膜6を介して電界制御電極9を形成する。

請求項（抜粋）：

表面にチャンネル層が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、前記チャンネル層とショットキ接合したゲート電極とを有し、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、前記チャンネル層の上部に絶縁膜を介して電界制御電極が形成されたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/314 A

Fターム (24件)：

5F058BA01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-072475
  
• 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033221   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平1-096966
  
• ショットキゲート型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-008268   出願人：日本電気株式会社