特許

J-GLOBAL ID：200903044568307413

PZT圧電結晶膜の製法及び超音波トランスデューサ

発明者： 石河 睦生 ,  竹内 真一 ,  黒澤 実 ,  桂 尚樹 ,  佐藤 敏夫 ,  川島 徳道 ,  大平 悦三 ,  大庭 政司 ,  桝田 吉信 ,  土師 忠臣
出願人/特許権者： 学校法人桐蔭学園 ,  功創株式会社
代理人 (3件)： 生田 哲郎 ,  名越 秀夫 ,  松本 雅利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323769
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089229
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 広帯域の周波数特性を有するPZT圧電結晶膜の製法及び超音波トランスデューサを提供する。【解決手段】 少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面加工が施された基板3上に、水熱合成法によりPZT圧電結晶膜2を積層形成することを特徴とするPZT圧電結晶膜の製法である。又、少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面をなしている基板3と、水熱合成法により基板3の粗面上に積層形成されたPZT圧電結晶膜2と、PZT圧電結晶膜2の表面に取り付けられた電極4とを有することを特徴とする超音波トランスデューサ2である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、前記成膜面に粗面加工が施された基板上に、水熱合成法によりPZT圧電結晶膜を積層形成する ことを特徴とするPZT圧電結晶膜の製法。

IPC (6件)：

C30B29/32 ,  C30B7/10 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24 ,  H04R31/00

FI (7件)：

C30B29/32 D ,  C30B7/10 ,  H04R31/00 330 ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BC43 ,  4G077CB03 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EC07 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06 ,  4G077EG14 ,  4G077HA11 ,  4G077KA01 ,  5D019BB02 ,  5D019HH01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 圧電体構造物およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203778   出願人：東海ゴム工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 超小型超音波センサ、生体内埋め込み型センサを目的とした水熱法によるPZT薄膜の作製に関する基礎検討