特許
J-GLOBAL ID:200903044625087646

荷電ビーム成形用アパーチャおよび荷電ビーム露光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-316762
公開番号(公開出願番号):特開平9-162096
出願日: 1995年12月05日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【課題】 荷電ビーム露光装置で用いられるキャラクタアパーチャまたは分割マスクにおいて、アパーチャ間または分割マスク間の間隔を最小にして、一定の面積にできるだけ多くのアパーチャまたはマスクを配置する。【解決手段】 アパーチャ(マスク)プレートを、アパーチャ(マスク)部分とそれを支持する基板とで構成し、基板には主表面の面方位[110]のシリコン単結晶基板を用いる。異方性エッチングによって、基板に垂直な側壁を持った開孔を形成する。アパーチャへの入射ビームの入射角に応じて、基板の開口の大きさが最小になるように決定し、一定の面積に配置し得るアパーチャ数が最大になるようにし、あるいはアパーチャが配置される面積が最小になるようにする。
請求項(抜粋):
荷電ビームを通過させるアパーチャ部が形成される薄膜と、該薄膜を支持する基板とを備え、荷電ビーム露光装置の光学系のビーム通路に設けられてパターン形状のビームを成形する荷電ビーム成形用アパーチャにおいて、前記基板は、その主表面の結晶面方位が[110]である単結晶シリコン基板より構成されると共に、前記アパーチャ部を構成する1または複数のアパーチャに対応して前記単結晶シリコン基板に形成される開孔部分が、平行する2つの[111]面の側壁によって形成され、かつ、これらの側壁が基板の主表面に対する垂直側壁であることを特徴とする荷電ビーム成形用アパーチャ。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521
FI (3件):
H01L 21/30 541 B ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る