特許

J-GLOBAL ID：200903044643661619

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高井 啓次 ,  平島 哲之
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232428
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048978
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 めっきバリの発生を抑制して、不良品の少ない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 リードフレーム材10の表面側又は裏面側の所定箇所に、最上層に貴金属めっき層35を有するめっきマスク38、39を形成し、次にめっきマスク38、39をレジストマスクとしてリードフレーム材10を順次エッチングして、封止樹脂21の内部に配置された半導体素子18と電気的に連通し、下部に突出する外部接続端子部22を形成する半導体装置28の製造方法において、めっきマスク38、39の最下層に耐エッチング液性を有する卑金属めっき又は貴金属めっき33をした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

リードフレーム材の表面側又は裏面側の所定箇所に、最上層に貴金属めっき層を有するめっきマスクを形成し、次に前記めっきマスクをレジストマスクとして前記リードフレーム材を順次エッチングして、封止樹脂の内部に配置された半導体素子と電気的に連通し、下部に突出する外部接続端子部を形成する半導体装置の製造方法において、 前記めっきマスクの最下層に耐エッチング液性を有する卑金属めっき又は貴金属めっきをしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/12 501T ,  H01L23/12 501C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-193225   出願人：株式会社三井ハイテック