特許

J-GLOBAL ID：200903044677215480

平面表示装置

発明者： 高原 博司
出願人/特許権者： 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
代理人 (5件)： 蔦田 璋子 ,  蔦田 正人 ,  中村 哲士 ,  富田 克幸 ,  夫 世進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195356
公開番号（公開出願番号）：特開2007-011228
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】精度よく画像取込み位置を特定できる平面表示装置を提供する。【構成】表示領域10には、第1の感度のホトセンサ画素と第2の感度のホトセンサ画素が形成され、オン画素数割合が変化しないプリチャージ電圧設定範囲で、プリチャージ電圧Vprcして、キャリブレーションを行って、良好な対象物の座標位置認識などを実施する。【選択図】 図36

請求項（抜粋）：

アレイ基板上に互いに直交して配置される複数本の信号線及び第1ゲート信号線と、 前記信号線と前記第1ゲート信号線との交点近傍に設けられた表示用スイッチング素子と、この表示用スイッチング素子に接続された画素電極とを含む表示画素と、 前記信号線に映像信号を供給すると共に前記第1ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を表示する表示用制御手段と、 を有する平面表示装置において、 前記アレイ基板上に複数のホトセンサ画素が設けられ、 前記複数のホトセンサ画素は1種類の感度のホトセンサ画素から構成され、 前記各ホトセンサ画素からのホトセンサ信号を読み取るホトセンサ処理手段が設けられ、 前記ホトセンサ画素は、 前記第1ゲート信号線と平行に配された第2ゲート信号線からの第2ゲート信号によってオン/オフする第1スイッチング素子と、 前記第1スイッチング素子がオン状態のときに、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、 前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の強弱に応じて光リーク量を変化させて放電するホトセンサと、 前記コンデンサからの放電電圧に基づいてオン/オフする第2スイッチング素子と、 前記第1ゲート信号線と平行に配された第3ゲート信号線からの第3ゲート信号によって、前記第2スイッチング素子とホトセンサ信号出力線との間をオン/オフする第3スイッチング素子と、 を有し、 前記ホトセンサ処理手段は、 (1)前記プリチャージ電圧供給線から前記プリチャージ電圧を印加すると共に、前記第3スイッチング素子がオン状態のときに、前記第2スイッチング素子のオン/オフ状態によって変化する前記ホトセンサ信号出力線の電位をホトセンサ信号として読み取り、 (2)前記プリチャージ電圧を変化させてオン状態、または、オフ状態の前記ホトセンサの位置を特定するキャリブレーションを行い、 (3)前記キャリブレーションを行うときのプリチャージ電圧を、光照射時に前記複数のホトセンサ画素の中の0〜10%がオン状態になり、遮光時に前記複数のホトセンサ画素の中の80〜100%がオン状態になるプリチャージ電圧設定範囲に設定する ことを特徴とする平面表示装置。

IPC (8件)：

G09G 3/36 ,  G09G 3/20 ,  G02F 1/133 ,  H01L 27/146 ,  G06F 3/041 ,  G06F 3/033 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (12件)：

G09G3/36 ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 691E ,  G09G3/20 633L ,  G02F1/133 530 ,  G02F1/133 550 ,  H01L27/14 C ,  G06F3/041 330E ,  G06F3/041 330B ,  G06F3/033 310Y ,  H04N1/028 Z ,  H04N5/335 W

Fターム (93件)：

2H093NA16 ,  2H093NA43 ,  2H093NC09 ,  2H093NC11 ,  2H093NC34 ,  2H093NC35 ,  2H093NC40 ,  2H093NC49 ,  2H093NC55 ,  2H093NC73 ,  2H093ND31 ,  2H093ND60 ,  2H093NG20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA24 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB24 ,  5B087AA06 ,  5B087BC32 ,  5B087CC02 ,  5B087CC05 ,  5B087CC13 ,  5B087CC16 ,  5B087CC26 ,  5B087CC33 ,  5C006AA09 ,  5C006AA16 ,  5C006AA22 ,  5C006AF13 ,  5C006AF42 ,  5C006AF43 ,  5C006AF51 ,  5C006AF52 ,  5C006AF53 ,  5C006AF63 ,  5C006AF67 ,  5C006BB16 ,  5C006BC02 ,  5C006BC03 ,  5C006BC06 ,  5C006BC22 ,  5C006BC23 ,  5C006BF08 ,  5C006BF09 ,  5C006BF14 ,  5C006BF22 ,  5C006BF24 ,  5C006BF25 ,  5C006BF42 ,  5C006EC05 ,  5C006FA20 ,  5C006FA25 ,  5C024CY50 ,  5C024HX02 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C051AA01 ,  5C051BA04 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB06 ,  5C051DB07 ,  5C051DC03 ,  5C051DC05 ,  5C051DC07 ,  5C051DE16 ,  5C080AA10 ,  5C080BB03 ,  5C080BB06 ,  5C080DD04 ,  5C080DD05 ,  5C080DD09 ,  5C080DD13 ,  5C080DD14 ,  5C080DD21 ,  5C080EE27 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080GG12 ,  5C080JJ01 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019635   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• MOS型センサおよびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-156111   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所