特許
J-GLOBAL ID:200903044683067590

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-262665
公開番号(公開出願番号):特開2001-085762
出願日: 1999年09月16日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 大きな磁気抵抗効果を有し、素子特性のばらつきが小さい磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 2つの磁性体層(14、16と24)の間に、自己組織化膜からなる有機分子層(22)が形成された構造を有する磁気抵抗効果素子。
請求項(抜粋):
第1の磁性層及び第2の磁性層間に自己組織化膜からなる有機分子層を挟持した構造であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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