特許

J-GLOBAL ID：200903044696261450

超伝導量子干渉素子用電子回路

発明者： 何 東風 ,  糸崎 秀夫
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-075609
公開番号（公開出願番号）：特開2006-258564
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 周囲の温度等の変化によって生じるオフセットが生じないようにした、新規な超伝導量子干渉素子用電子回路を提供する。【解決手段】 超伝導量子干渉素子用電子回路1は、超伝導量子干渉素子2からの信号を増幅する前置増幅器10と参照用前置増幅器11と信号を増幅する前置増幅器10と参照用前置増幅器11とが入力される差分器13とを含み、超伝導量子干渉素子2からの信号を増幅する前置増幅器10のオフセットが、参照用前置増幅器11のオフセットにより打ち消される。超伝導量子干渉素子2は、dc-SQUIDの他にrf-SQUIDを用いることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

超伝導量子干渉素子からの信号を増幅する前置増幅器と、 参照用前置増幅器と、 上記信号を増幅する前置増幅器と参照用前置増幅器との出力が入力される差分器と、を含み構成される超伝導量子干渉素子用電子回路であって、 上記超伝導量子干渉素子からの信号を増幅する前置増幅器のオフセットが、上記参照用前置増幅器のオフセットにより打ち消されることを特徴とする、超伝導量子干渉素子用電子回路。

IPC (2件)：

G01R 33/035 ,  A61B 5/05

FI (2件)：

G01R33/035 ,  A61B5/05 A

Fターム (7件)：

2G017AB09 ,  2G017AD35 ,  2G017BA05 ,  4C027AA10 ,  4C027EE05 ,  4C027EE08 ,  4C027KK07