特許

J-GLOBAL ID：200903044747645364

CVD装置

発明者： 北畠 顕弘 ,  山田 敬治 ,  森 美由紀
出願人/特許権者： 三容真空工業株式会社
代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253727
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092942
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：

【要約】【課題】大型の基板等を一度に大量に、高速で効率良く成膜することができ、精度よく成膜することができるCVD装置を提供する。【解決手段】真空チャンバと、ガス供給源及びそのガス供給源からのガスを真空チャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニットと、真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ化および/または活性イオン化するプラズマ発生電極を有するCVD装置において、プラズマ発生電極20は、円形または多角形のリング状の複数の永久磁石23が、これらの永久磁石23の磁化方向に絶縁体22を介して一定の間隔で金属棒21に着脱自在に嵌め込まれているとともに、相互に隣合う永久磁石23の磁極を同極性とするよう配列された構成とする。

請求項（抜粋）：

真空源に接続される真空チャンバと、ガス供給源およびそのガス供給源からのガスを上記真空チャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニットと、上記真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ内に導かれたガスをプラズマ化および/または活性イオン化する放電電極を有するCVD装置において、上記放電電極は、円形または多角形のリング状の複数の永久磁石が、これらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込まれているとともに、相互に隣合う永久磁石の磁極を同極性とするよう配列されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-287412   出願人：三容真空工業株式会社
• プラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-023992   出願人：東京エレクトロン株式会社