同軸フリップチップ接続構造およびその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022461
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】ガスデュポジションを利用し、超微粒子を噴霧することにより、同軸型のフリップチップバンプを形成する。【構成】ガスデュポジション装置を利用して、5の半導体チップ上に導体、絶縁体の順序で超微粒子を噴射し、6の同軸型のフリップチップバンプを形成する。バンプを同軸型にすることにより、高速、高密度接続が可能となる。また、微小バンプとなってもGNDとシグナルの絶縁は確保され、簡単、低コストで得ることができる。

請求項（抜粋）：

フリップチップ接続を用いて基板に搭載する半導体素子の電極構造において、一つの電極バンプ中に、シグナル用とグランド(GND)用の同軸型導体層を、さらに前記シグナルと前記GNDの間に第1絶縁層を、さらに前記GNDの外周に第2絶縁層を有することを特徴とする同軸フリップチップ接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/321

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-296750
特開平4-340732
特開平4-030544

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