特許

J-GLOBAL ID：200903044773224504

半導体メモリ装置の内部昇圧電圧発生器

発明者： 李 哲 宇 ,  崔 フーン
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198603
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079191
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 Vccを上昇させなければならない場合に素子に対する過度なストレスを防ぎ、電流消耗を減少させることのできる半導体メモリ装置の内部昇圧電圧発生器を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体メモリ装置の内部昇圧電圧発生器は、制御信号に応じて出力ノードの信号をポンピングさせるポンピング手段10と、前記ポンピング手段の前記出力ノードをプリチャージするためのプリチャージ手段20と、前記ポンピング手段と前記プリチャージ手段との間に接続され、前記プリチャージ手段のプリチャージ時間を電源電圧に応じて可変的に制御する制御手段30とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

制御信号に応じて出力ノードの信号をポンピングさせるポンピング手段と、前記ポンピング手段の前記出力ノードをプリチャージするためのプリチャージ手段と、前記ポンピング手段と前記プリチャージ手段との間に接続され、前記プリチャージ手段のプリチャージ時間を電源電圧に応じて可変的に制御する制御手段とを具備することを特徴とする半導体メモリ装置の内部昇圧電圧発生器。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H02M 3/07

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  H02M 3/07 ,  G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-093091
  
• 特開昭64-088992
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-159587   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平3-205683