特許
J-GLOBAL ID:200903044797067710
半導体レーザ装置およびその製造方法、光ピックアップ装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-343015
公開番号(公開出願番号):特開2005-109310
出願日: 2003年10月01日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
【課題】2つ以上の半導体レーザを集積化した半導体レーザ装置において、それぞれの半導体レーザの出射光軸が離間するのを防止し、一つの基板上に複数の半導体レーザを精度よくかつ高密度に配置できる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】SiO2層3a、3bを挟んで表面をそれぞれ平行とするように積層されたシリコン(100)基板2a〜2cからなる積層基板1に矩形溝5、6が異方性ウエットエッチを用いて形成され、溝5はSiO2層3aに溝6はSiO2層3aにそれぞれ到達している。溝5、6の底面には各々半導体レーザ8、9が載置され、その側面は、半導体レーザから出射されたレーザ光を反射して基板1の上方に導くマイクロミラーが形成されている。溝6における前記レーザ光が照射される領域を含む側面のうち、基板2a内で前記側面は途中で折り返された断面形状である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の基板が前記複数の基板と基板の間に当該基板と異なる材質からなる中間層を挟んで当該基板表面をそれぞれ平行とするように積層された積層基板表面に平面視矩形形状をした複数の矩形溝が設けられ、
前記複数の矩形溝のうち少なくとも一対の隣りあう矩形溝は、その開口部の稜線がそれぞれ平行となるように配され、かつ、一方が最表面にある第1の基板内に、他方が前記最表面にある基板の直下に位置する第2の基板に到達するように形成されており、
前記各矩形溝の底部には、一以上の半導体レーザが載置されており、
前記矩形溝の側面は、前記矩形溝の底部に載置された半導体レーザから出射されたレーザ光が照射される領域が、前記積層基板表面に対して40°〜50°の角度をなして形成されており、
前記レーザ光が照射される領域には、照射されたレーザ光を反射して前記積層基板上方に導くマイクロミラーが形成されており、
前記一対の矩形溝は、各矩形溝の側面における前記レーザ光が当たる領域のそれぞれが平面視したときに対向する位置に配され、
前記第2の基板に到達する他方の矩形溝における前記レーザ光が照射される領域を含む側面のうち、前記最表面にある基板内で前記側面は途中で折り返された断面形状であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073EA29
引用特許:
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