特許
J-GLOBAL ID：200903044800604047
High-k物質を選択的に除去する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221896
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057276
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】SiO2層及びシリコン層に対する十分な選択性でhigh-k物質をエッチングする新しい信頼できる方法を明らかにする。【解決手段】 high-k物質の選択的除去方法は、半導体基板の上にhigh-k物質層5を設けるステップと、前記high-k物質層5を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップとを含む。前記high-k物質層5をダメージ付与ステップにさらすステップをさらに含んでもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上にhigh-k物質を設けるステップと、
前記high-k物質を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップと
を含むことを特徴とするhigh-k物質の選択的除去方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043DD17
, 5F043GG10
