特許
J-GLOBAL ID:200903080921561139
エッチング液及びエッチング方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三枝 英二 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-135864
公開番号(公開出願番号):特開2003-332297
出願日: 2002年05月10日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】THOX、TEOSなどのシリコン酸化膜に対し、ハフニウム系酸化物膜、ジルコニウム系酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液を提供する。【解決手段】 熱酸化膜(THOX)に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜,ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜,ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液;該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法;該方法により得ることができるエッチング処理物。
請求項(抜粋):
熱酸化膜(THOX)に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜,ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜,ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液。
IPC (2件):
H01L 21/306
, H01L 21/308
FI (2件):
H01L 21/308 E
, H01L 21/306 D
Fターム (4件):
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043EE10
, 5F043GG10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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エッチング液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-332767
出願人:ダイキン工業株式会社
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エッチング液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-332782
出願人:ダイキン工業株式会社
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-246882
出願人:株式会社東芝
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