特許
J-GLOBAL ID：200903044803148182
磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176027
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 漏れ磁界を自由磁性層に有効に導けるようにし、結果的に高い再生出力及び良好な再生波形対称性を得る。【解決手段】 MRヘッド10は、下電極兼磁気シールド層12と、下電極兼磁気シールド層12上に形成された磁気ギャップ調整層14と、磁気ギャップ調整層14上に形成されたMR素子30と、MR素子30上に形成された上電極兼磁気シールド層28とを備えている。下電極兼磁気シールド層12と自由磁性層18との間に磁気ギャップ調整層14を設けることにより、自由磁性層18を下電極兼磁気シールド層12から十分に離すことができる。これにより、自由磁性層18に十分な漏洩磁界を流入できるので、ヘッド再生出力を向上できる。
請求項（抜粋）：
自由磁性層、非磁性層、固定磁性層及びこの固定磁性層の磁化方向を固定する層を基本構成とする磁気抵抗効果素子が、この磁気抵抗効果素子の電極及び磁気シールドとして機能する二枚の電極兼磁気シールド層間に設けられ、前記磁気抵抗効果素子を構成する各層と前記二枚の電極兼磁気シールド層とが一方向に積層され、一方の前記電極兼磁気シールド層と前記自由磁性層とが、非磁性導電体からなる磁気ギャップ調整層を介して接し、他方の前記電極兼磁気シールド層と前記固定する層とが直に又は保護層を介して接した、磁気抵抗効果ヘッド。
Fターム (6件)：
5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034CA08
, 5D034DA07
