半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071500
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254704
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】半導体基板1とゲート絶縁膜2との界面における界面準位密度を高めたりトランジスタの電流駆動能力を低めたりすることなく急速昇降温による上記界面における急激な応力変化を防止してホットエレクトロン耐性を高める。【構成】ゲート絶縁膜2を、シリコン半導体基板1の表面に形成されたシリコン酸化膜2と、このシリコン酸化膜2aの表面に形成されこのシリコン酸化膜2aよりも厚いシリコン窒化酸化膜2bによる二層構造にする。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜が、シリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜の表面に形成されこのシリコン酸化膜よりも厚いシリコン窒化酸化膜から形成されていることを特徴とする半導体装置

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308828 出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る