炭素薄膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石田敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189223
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011630
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】設備費や処理コストを上昇させることなく、高い生産効率で、副生成物の発生を防止できる気相経由熱分解炭素薄膜の形成方法を提供する。窒化を伴う表面硬化法と併行して行うことができる低温での処理が可能な、気相経由熱分解炭素薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】ガス雰囲気炉の加熱室内で、金属基材を窒素ガスおよび/または水素ガスから成る雰囲気中で無酸化加熱するとともに、該加熱室内に、炭素源ガスを窒素ガスおよび/または水素ガスで希釈した薄膜形成ガスを供給して、該金属基材の表面に熱分解炭素の薄膜を形成する方法において、上記炭素源ガスとして鎖式不飽和炭化水素ガスを用い、上記加熱を大気圧下において400°C〜700°Cで行う。

請求項（抜粋）：

ガス雰囲気炉の加熱室内で、金属基材を窒素ガスおよび/または水素ガスから成る雰囲気中で無酸化加熱するとともに、該加熱室内に、炭素源ガスを窒素ガスおよび/または水素ガスで希釈した薄膜形成ガスを供給して、該金属基材の表面に熱分解炭素の薄膜を形成する方法において、上記炭素源ガスとして鎖式不飽和炭化水素ガスを用い、上記加熱を大気圧下において400°C〜700°Cで行うことを特徴とする炭素薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/26 , C01B 31/02 101

FI (2件)：

C23C 16/26 Z , C01B 31/02 101 Z

Fターム (15件)：

4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CC03 , 4G046CC06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA24 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030BA50 , 4K030CA02 , 4K030EA12 , 4K030FA10 , 4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭48-093589
特開昭59-013062
金属基材へのカーボン被膜形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-034250 出願人：東海カーボン株式会社

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