露光装置とこれによる半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-333330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151902
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【目的】反射型マスクを用いてウエハを露光する露光装置であって、実用的なアライメント手段を有するものを実現すること。【構成】反射型マスクのパターンを複数のミラーを介して前記ウエハに縮小結像する結像光学系と、反射型マスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウエハステージと、アライメント用光源からの光を、マスクステージに設けたアライメントマーク、結像光学系、ウエハステージに設けたアライメントマークを介して検出する検出器と、を有する。

請求項（抜粋）：

光源からの軟X線又は真空紫外線を反射型マスクに照射し、該反射型マスクのパターンでウエハを露光する露光装置において、前記反射型マスクのパターンを複数のミラーを介して前記ウエハに縮小結像する結像光学系と、前記反射型マスクを保持するマスクステージと、前記ウエハを保持するウエハステージと、アライメント用光源からの光を、前記マスクステージに設けたアライメントマーク、前記結像光学系、前記ウエハステージに設けたアライメントマークを介して検出する検出器と、を有することを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/30 531 J , H01L 21/30 517

Fターム (6件)：

5F046BA05 , 5F046CB17 , 5F046ED02 , 5F046ED03 , 5F046GA18 , 5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (2件)

パターン位置測定方法および測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-239243 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-311515

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